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Zr-81和Mo-85的β延迟质子衰变*

作者:罗亦孝 ( 时间:2006-10-13 浏览次数:4633 )

黄文学 马瑞昌 徐晓冀 郭俊盛 徐树威
孙相富 谢元祥 李占奎 靳根明 罗亦孝

摘要  运用p-γ符合测量技术,详细研究了Tz=1/2系列核素81Zr和85Mo的β延迟质子衰变.获得了β衰变后发射质子布居到子核的第1激发态的质子谱.测量得81Zr的半衰期为(5.3±0.5) s,85Mo的半衰期为(3.2±0.2) s. 利用统计模型理论计算和实验值的比较以及系统性分析,暂时指定81Zr的基态自旋和宇称为3/2-85Mo的基态自旋和宇称为1/2-. 81Zr的质量剩余为(-58.3±0.2) MeV, 85Mo的质量剩余为(-59.1±0.4) MeV. 结合实验测得的半衰期和理论计算所得的质子发射部分半衰期,得81Zr延迟发射质子的分支比为(1.2±0.2)×10-385Mo延迟发射质子的分支比为(1.4±0.2)×10-3.

关键词  核衰变 β延迟粒子发射 统计模型 半衰期 自旋

  对于远离β稳定线的缺中子核素来说,β延迟质子衰变是一种非常重要且有特色的衰变模式[1]. 其典型的衰变纲图如图1所示. 由于位于β稳定线附近的核产生了很高的本底,因此要想从高本底中鉴别远离β稳定线核是比较困难的. 利用β延迟质子发射这种特征方式鉴别远离核就是方法之一. 对于轻质量区而言,发射体核向子核跃迁主要是通过同位旋相似态进行,并且发射体核的能级密度较低,其能级间隙大于探测器的能量分辨,所以β延迟质子谱呈分离的单峰结构,一般来说,最强的峰对应于通过同位旋相似态跃迁. 相反,对于中重质量区和重质量区而言,一般来说,同位旋相似态已不存在,并且发射体核的能级密度较高,其能级间隙小于探测器的能量分辨,所以其β延迟质子谱是很宽的钟罩型连续谱. 此时,我们就可以用统计模型理论来分析这些连续谱. 这种分析可以提供诸如衰变能、先驱核的自旋和宇称等许多信息. 对于这些非常远离β稳定线的奇异核来说,这也是其他方法难以做到的. 

图1 β延迟质子发射典型衰变纲图

在此我们报道的是对Tz=1/2系列核素81Zr和85Mo研究的最新结果. 一些结果已经发表在文献[2,3]中. 这个系列的一些核65Ge,69Se[4,5]73Kr[5,6]77Sr[5]97Cd[7]101Sn[8]都是β延迟质子发射先驱核. 1976年Hardy等人1),2)曾通过测量β延迟发射质子研究过81Zr,并测得其半衰期为(5.9±0.6) s,指定了其自旋和宇称为3/2-[9]. 1982年Della Negra等人[10]用β反冲谱仪,测得其半衰期为(15±5) s.  85Mo只被Hardy等人1)研究过,仅测得其半衰期为5.6 s.所有这些结果均未在正式刊物发表.
  长期以来,对具有质子中子自洽的核的研究一直是人们感兴趣的领域. 81Zr和85Mo离自洽核80Zr和84Mo只相差一个中子. 并且,它们也位于核形状的快变化区. 靠近28<Z,N>50壳的中心区的核素具有很强的形变. 
  由于81Zr和85Mo远离β稳定线,对他们的鉴别和指定就比较困难. 对于一个具有偶质子数和奇中子数的β延迟先驱核而言,它进行β衰变后将可以布居到发射体核(奇偶核)的质子结合能以上的激发态,而这些激发态又将发射质子而衰变到稳定的子核(偶偶核)的基态,也可以发射质子到子核的低位激发态,再发射γ射线而退激到稳定的基态. 所以我们就可以通过质子与此特征γ射线的符合来鉴别先驱核的存在. 在中重核区,偶偶核的激发态大多通过2+→0+跃迁退激,且这些2+→0+γ射线几乎不具有相同的能量,所以通过这种方法可以唯一且有效地指定先驱核.  81Zr和85Mo可能通过以下路径进行衰变:

因此,对81Zr和85Mo的指定就是通过质子分别与它们各自的特征γ射线386 keV和540 keV符合测量来进行的. 

1 实验

  实验在中国科学院近代物理研究所的兰州重离子研究装置(HIRFL)上进行. 利用SFC引出的170 MeV32S9+束流轰击同位素靶58Ni通过熔合蒸发反应产生目标核. 束流流强为0.3 eμA,靶厚为3.0 mg/cm2. 实验采用氦喷嘴带传输系统. 实验装置如图2所示. 由于在入射窗(1.94 mg/cm2的Harvar膜)和氦气中损失了能量,因此在靶上的有效束流能量约为150 MeV. 反应产物被靶室中的氦气热化并附着在NaCl的大分子集团上. 随着氦气的流动反应产物流经15 m长的毛细管并喷注在传输带上. 步进电机周期性地带动传输带移动,从而反应产物被传送到探测站探测. 实验中采用了3 s和13 s两种传送周期. 

质子用粒子望远镜探测,它由两片厚度分别为300和400 μm(面积均为300 mm2)的金硅面垒半导体探测器组合而成. 400 μm厚的探测器作为反符合探测器,主要目的是为了减少β+本底. 这套系统的探测立体角为40%×4π. 用241Am α源对此探测器系统进行了能量刻度,其对5.486 MeV α峰的能量分辨(半高宽)为60 keV. 另外还用精密脉冲发生器校正了电子学线路的线形能量响应。 γ射线用两个同轴HPGe探测器探测. 一个紧跟在粒子望远镜的后面,而另一个放在粒子望远镜的对面. γ探测器的能量和效率用标准源133Ba和152Eu刻度. 另外,我们还使用了时间数字转换时钟(CTDC)记录事件的时间信号,获得时间序列谱,从而直接测量感兴趣核的半衰期. 实验中把p-γ符合事件和其相应的时间以事件谱的形式记录在磁带上供实验后的数据处理.

2 统计模型

  对统计模型的描述可以参考文献[4,6]. 
  由β延迟质子发射的典型衰变纲图(图1)可以看出,对应于发射体核态i和子核态f之间的质子跃迁强度Iifp由以下两个因素决定:(1)从先驱核β+衰变布居到发射体核态i的强度Iiβ;(2)态i到子核态f的发射质子的分支比. 当发射体核的能级间隙小于探测器的能量分辨,核态之间的分立跃迁就不能被区分开来. 此时,分立能级之间跃迁的强度Iifp就可以作统计平均,则质子强度Ip(Ep)写为

(1)

其中Γifp是态i到态f的质子发射的部分宽度,Γip是态i的质子发射的总宽度,Γiγ是态i的γ跃迁总宽度,〈〉表示对所有能够发射质子的衰变道i→j的统计平均. 
  假设仅有1个末态,即认为延发质子全部布居到子核的基态,那么Γipifp,上式右端的第2个因子就可以表示为

(2)

其中

α=〈Γiγ〉/2〈Γip〉, erfc(u)=1-erf(u), erf(u)是误差函数.

假设末态不止一个,则没有与公式(2)等价的简单形式,必须用积分方法才能计算出来. 在对81Zr,85Mo的分析中,我们认为子核的基态和第1激发态是非相关的. 并且,为了和实验结果相比较,我们还从理论计算中提取了质子衰变布居到子核第1激发态的β延发质子谱.

2.1 β衰变
  先驱核布居到发射体核态i的β衰变强度可以表示为

(3)

其中G′2A是有效轴矢量耦合常数,f是跃迁的统计速率函数,t是先驱核的半衰期,〈σ〉是相应的Gamov-Teller矩阵元. 因为我们研究的是远离β稳定线核,一般情况下缺少对发射体核的激发态详细描述的模型,所以选择了Yamada和Takahashi的“粗糙”理论来估计〈σ〉2. 由于粗糙理论中未包含角动量量子数,因此在计算中假设了只有3种可能的自旋跃迁,ΔJ=0,±1,其权重分别为其中J是先驱核的自旋. 
2.2 质子发射部分宽度
  从态i到态f的质子发射宽度可以表示为

(4)

其中ρJi(Ex)是具有相同自旋和宇称,激发能为Ex的态的密度. Tl(Ep)是具有能量Ep和角动量l的质子的穿透系数. Σ是对所有由自旋和宇称允许的态i→f的所有角动量l求和. 我们选择用光学模型来估计所有的Tl,并且采用了Perey的参数来重建中等质量核的低能散射数据. 
2.3 γ跃迁宽度
  设我们感兴趣区的发射体核的能级主要通过E1跃迁衰变,则其平均跃迁宽度就可以写为

(5)

其中U=Ex-P,P是对能,Eγ是γ射线能量,I是所布居态的自旋. 强度函数可以由下式表示

其中ΓG和ΕG分别为电偶极矩共振的宽度和能量. 
  但是,若使用公式(5)代替真实的〈Γiγ〉,将产生误差,其误差来源至少有两个:第1是未考虑位于对能以下的态的γ跃迁,第2是除了E1以外的其他多极跃迁都被忽略了. 因此,考虑到这些原因和其他一些不清楚的原因,我们把跃迁宽度写为〈Γiγ〉=K〈ΓiγE1,K作为一个常数,它由实验确定. 
2.4 能级密度
  为了推导〈Γifp〉和〈Γiγ〉,就必须知道发射体核的能级密度. 常用的形式有两种,一为Gilbert和Cameron[11]的能级密度形式,一为回移Fermi气体(Back-shifted Fermi gas)[12]能级密度形式. 回移Fermi气体能级密度形式为

(6)

其中831-6.gif (1128 bytes)为虚拟基态位移能. 对于80<A<90区的核,其值在0~-0.6 MeV之间[12]. 因此我们在对81Zr和85Mo的延发质子谱的计算中令Δ=-0.3 MeV. 在这次分析中,我们假定了能级密度参数a=12. 对于A≈80区,在文献[13]中给出的值位于10~15 MeV-1之间. 
  Hardy[14]曾利用这两种能级密度形式计算了平均跃迁宽度〈Γγ〉,并与已有实验值进行了比较,发现使用回移Fermi气体能级密度形式比使用Gilbert和Cameron能级密度形式所得结果与实验符合得好一些. 所以在此将只使用回移Fermi气体能级密度形式拟合实验数据的结果. 
  其他一些重要的参量就是衰变能和初态与末态的自旋和宇称. 衰变能主要影响质子谱高能端的形状,而与衰变相关各态的自旋和宇称主要影响整个质子谱的形状和布居到子核激发态的质子分支比. 因为子核80Sr和84Mo是偶偶核,所以取它们的自旋和宇称均为0+. 另外,取发射体核81Y和85Nb的自旋和宇称分别为5/2+和9/2+. 通过拟合质子谱的形状,我们就可以得到先驱核81Zr和85Mo的自旋和宇称以及衰变能. 
  先驱核的质量可以由子核的质量和Qe.c.-Bp推导出来. 它可以由拟合延发质子谱的高能端得到. 其中Qe.c.是先驱核的β衰变能,Bp是发射体核的质子分离能.

3 数据分析结果

3.1 81Zr
  用质子开门所得的γ谱如图3所示. 图中非常清楚地显示了386 keV和540 keV γ射线的存在.


图3 拉带周期T=3 s (a)和T=13 s (b)所获得的与质子符合的γ谱

  利用80Sr的低位态2+→0+的特征γ射线386 keV与质子符合开门,得到81Zr布居到80Sr的第一2+激发态的β延发质子谱,如图4(a)所示. 81Zr的时间序列谱也示于图4(b)中. 用最小二乘法拟合得其半衰期为(5.3±0.5) s. 这和Hardy等人1)的结果(5.9±0.6) s符合,但与Della Negra等人[10]的结果(15±5) s相差很大. 造成这种差别的原因可能是因为:在Della Negra等人的实验中81Sr通过81Y的β衰变产生,而81Y却既可能直接产生,也可能由81Zr衰变产生,所以在剥谱时81Y的长半衰期(72.4 s)就可能影响了实验对81Zr的半衰期的测定.


图4 (a) 利用特征γ射线386 keV开门所得81Zr布居到80Sr的第一2+激发态的β延发质子谱和(b) 81Zr衰变的时间序列谱
图中实线为假设81Zr的基态自旋和宇称为3/2-,Qe.c-Bp=4.7 MeV时用统计模型理论计算的结果

  利用统计模型对81Zr的β延发质子谱的理论分析发现与实验数据拟合较好的有(3/2,5/2,7/2)-和(5/2,7/2)+(如图4(a)实线所示). 这可能是由于统计不足的原因. Sahu和Pandya[15]曾计算过81Zr的能级,结果表明其基态的自旋和宇称最可能值为(1/2,5/2,3/2)-或(3/2,5/2)+. 文献[9]曾测量到81Zr β衰变后发射质子布居到80Sr的第1激发态的强度占总强度的(24±8)%,因此,考虑到以上信息,经过仔细分析后,我们暂时指定81Zr基态的自旋和宇称为可能值3/2-. 因为N=41同中子数核素的基态自旋和宇称系统性非常差,所以我们没有作系统性比较.
  理论分析中还得到81Zr的Qe.c.-Bp=(4.7±0.2) MeV. 结合此Qe.c.-Bp值、80Sr的质量剩余(-70.302±0.008) MeV和质子质量,得81Zr的质量剩余为(-58.3±0.2) MeV . 利用实验所得半衰期和理论计算的质子发射部分半衰期,得81Zr的质子发射分支比为(1.2±0.2)×10-3. 
3.2 85Mo
  利用84Zr的低位态2+→0+的特征γ射线540 keV与质子符合开门,得到85Mo布居到84Zr的第一2+激发态的β延发质子谱,如图5(a)所示. 85Mo的时间序列谱示于图5(b)中. 用最小二乘法拟合得其半衰期为(3.2±0.2) s. 这和Hardy等人的结果1)并不符合. 图3显示了传输带拉带周期分别为3 s和13 s的与质子符合的γ谱. 由图可见:与81Zr的386 keV特征γ射线相比较,540 keV γ射线的相对强度随着拉带周期的缩短而增加,即收集时间的缩短对540 keV γ射线的收集比对386 keV γ射线的收集更有利,因此85Mo的半衰期应该比81Zr的半衰期(5.3±0.5) s更短.


图5 (a) 利用特征γ射线540 keV开门所得85Mo布居到84Zr的第一2+激发态的β延发质子谱和(b)85Mo衰变的时间序列谱
图中实线为假设85Mo的基态自旋和宇称为1/2-,Qe.c-Bp=5.1 MeV时用统计模型理论计算的结果

  利用与分析81Zr相同的方法,我们分析了85Mo布居到84Zr的第一激发态的β延发质子谱. 用不同的先驱核自旋和宇称值对β延发质子谱的形状进行了拟合,发现与实验数据拟合较好的有(1/2,3/2,5/2)-和(5/2,7/2)+. N=43同中子数核素的自旋和宇称的系统性表明:它们均具有1/2-的基态,并且大多数核素都有7/2+的同质异能态. 因此把85Mo基态的自旋和宇称指定为可能值1/2-符合系统性,并且由统计模型计算得85Mo β延迟发射质子布居到84Zr的第一激发态的强度占总质子强度的10%左右,这个值也比较合理. 
  拟合β延发质子谱,得Qe.c.-Bp=(5.1±0.2) MeV. 结合Qe.c.-Bp值、84Zr的质量剩余(-71.49±0.30) MeV和质子质量,得85Mo的质量剩余为(-59.1±0.4) MeV . 利用实验所得半衰期和理论计算的质子发射部分半衰期,得85Mo的β延迟质子发射的分支比为(1.4±0.2)×10-3.

4 结论

  我们详细研究了Tz=1/2系列核素81Zr和85Mo的β延迟质子衰变. 运用p-γ符合测量技术,观察到了它们β衰变后发射质子布居到子核的第1激发态的质子谱. 运用统计模型理论计算和系统性分析,我们获得了以下结果:
  测得81Zr的半衰期为(5.3±0.5) s,验证了其他人所给2个值中的1个,81Zr的质量剩余为(-58.3±0.2) MeV,暂时指定81Zr的基态自旋和宇称为3/2-,结合实验测得的半衰期和理论计算所得的质子发射部分半衰期,得81Zr延迟发射质子的分支比为(1.2±0.2)×10-3. 
  测得85Mo的半衰期为(3.2±0.2) s,修正了以前的结果,并暂时指定85Mo的基态自旋和宇称为1/2-.  85Mo的质量剩余为(-59.1±0.4) MeV.  85Mo延迟发射质子的分支比为(1.4±0.2)×10-3. 

*中国科学院和国家自然科学基金(批准号:19805011)资助项目
1) Hardy J C, MacDonald J A, Schmeing H, et al. 1976, AECL-5560
2) Faestermann T, Schmeing H, Hardy J C, et al. 1977, AECL-5696: 25
1) Hardy J C, MacDonald J A, Schmeing H, et al. 1976, AECl-5560
1) Faestermann T, Schmeing H, Hardy J C, et al. 1977, AECl-5696: 25
作者单位:中国科学院近代物理研究所,兰州 730000

参考文献
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 4 MacDonald J A, Hardy J C, Schmeing H, et al. Tz=1/2 β-delayed proton precursors (I) The decay of 69Se. Nucl Phys A, 1977, 288: 1~22
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 10 Della Negra S, Garvin H, Jacquet D, et al. Qβ measurement and mass excess values for neutron deficient isotopes near N~Z~40, I. Strontium, Yttrium and Zirconium isotope. Z Phys A, 1982, 308: 305~321
 11 Gilbert A, Cameron A G W. A composite nuclear-level density formula with shell corrections. Can J Phys, 1965, 43: 1 446~1 496
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 13 Bohr A, Mottelson B R. Nuclear Structure. Vol.1. New York : Benjamin, 1969. 187
 14 Hardy J C. Toward a reliable method for calculating average radiation widths in exotic nuclei. Phys Lett, 1982, 109B: 242~244
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